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摘要:
碳化硅SiC(silicon carbide)是目前最为成熟的宽禁带半导体材料之一,在高压、高温、高频等领域,碳化硅器件的研究和应用已成为当前的研究热点。针对碳化硅器件目前的生产使用状况,简述了与碳化硅主要生产商CREE 紧密合作的 FREEDM 中心的研究情况,重点分析了高压 SiC MOSFET,IGBT,ETO,JFET 在 SST (Solid State Transformer)和FID(Fault Isolation Device)中的应用。针对各类器件本身的特性,FREEDM中心有针对性的选择了相关应用领域,并开发了多代SST和FID的拓扑,许多重要的研究成果引领了全球高压SiC器件的研究趋势。
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文献信息
篇名 高压SiC器件在FREEDM系统中的应用
来源期刊 电源学报 学科 工学
关键词 碳化硅SiC 固态变压器 故障隔离装置 三电平NPC 软开关 直流-直流变换器
年,卷(期) 2016,(4) 所属期刊栏目 宽禁带功率电子器件及其应用专辑
研究方向 页码范围 139-146
页数 8页 分类号 TM46
字数 2698字 语种 中文
DOI 10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.139
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 倪喜军 南京工程学院电力工程学院 11 5 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
碳化硅SiC
固态变压器
故障隔离装置
三电平NPC
软开关
直流-直流变换器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电源学报
双月刊
2095-2805
12-1420/TM
大16开
天津市南开区黄河道467号大通大厦16层
2002
chi
出版文献量(篇)
1407
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6404
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