SiC器件在雷达电源中的应用

• 作者: 卢胜利 漆岳 熊才伟
• 来源期刊: 现代雷达
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 高开关频率 电源 全桥
• 年，卷（期）: 2019,（12）
• 所属期刊栏目: 雷达系统与技术
• 页码范围: 75-79
• 页数: 5页
• 分类号: TN86
• 字数: 4460字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16592/j.cnki.1004-7859.2019.012.017

摘要

现代雷达的发展迫切需要电源提升功率密度和效率.基于第三代半导体碳化硅(SiC)材料的功率器件在耐压等级、高频工作、高温性能等方面有较大优势.文中详细阐述了SiC器件的特性和各类型SiC功率器件的发展现状,分析了SiC功率器件在雷达电源中的应用方向,并基于SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)设计了阵面电源样机,完成了高开关频率性能测试.实验结果表明:SiC MOSFET的高频工作能降低系统损耗,并提升电源功率密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢胜利		3	19	1.0	3.0
2	熊才伟		2	0	0.0	0.0
3	漆岳		2	0	0.0	0.0