碳化硅MOSFET与硅MOSFET的应用对比分析

• 作者: 陈之勃 陈永真
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅MOSFET 导通电压 开关速度 器件损耗
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 95-98
• 页数: 4页
• 分类号: TM40
• 字数: 1784字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2018.1.95

摘要

碳化硅MOSFET具有导通电压低、 开关速度极快、 驱动能力要求相对低等特点,是替代高压硅MOSFET的理想器件之一.将额定电压、电流相同的碳化硅MOSFET和高性能硅MOSFET应用于反激式变换器中进行对比测试,实验结果表明,在相同的驱动条件和负载条件下,碳化硅MOSFET的开关速度明显快于硅MOSFET;在12 V驱动电平条件下,直接采用碳化硅MOSFET替代硅MOSFET使得变换器的效率明显提升;采用20 V栅极驱动电平,效果更加明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈之勃	辽宁工业大学电子与信息工程学院	24	33	3.0	5.0
2	陈永真	辽宁工业大学电子与信息工程学院	55	153	5.0	12.0