Si IGBT/SiC MOSFET混合器件及其应用研究

• 作者: 何志志 余佳俊 彭子舜 李宗鉴 江希 王俊
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si CMOSFET Si IGBT 混合器件 损耗模型 功率模块
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 宽禁带器件应用技术专题
• 页码范围: 58-70
• 页数: 13页
• 分类号: TM64
• 字数: 7460字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.58

摘要

综述了Si IGBT/SiC MOSFET混合器件在门极优化控制策略、集成驱动设计、热电耦合损耗模型、芯片尺寸配比优化和混合功率模块研制等方面的最新研究成果与进展.Si IGBT/SiC MOSFET混合器件结合了SiC MOSFET的高开关频率、低开关损耗特性和Si IGBT的大载流能力和低成本优势,已有文献的最新研究和实验结果验证了该类器件的优异特性,表明其对高性能电力电子器件实现更高电流容量、更高开关频率和较低成本具有重要意义,是高性能变换器应用中非常有潜力的功率器件类型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭子舜	湖南大学电气与信息工程学院	2	10	1.0	2.0
2	王俊	湖南大学电气与信息工程学院	14	16	3.0	3.0
3	李宗鉴	湖南大学电气与信息工程学院	5	3	1.0	1.0
4	江希	湖南大学电气与信息工程学院	4	3	1.0	1.0
5	余佳俊	湖南大学电气与信息工程学院	2	0	0.0	0.0
6	何志志	湖南大学电气与信息工程学院	1	0	0.0	0.0