基于混合SET/MOSFET的比较器

• 作者: CAI Li 冯朝文
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 单电子晶体管 双栅极SET 比较器 MIB模型
• 年，卷（期）: 2008,（20）
• 所属期刊栏目: 电子设计
• 页码范围: 290-292
• 页数: 3页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2008.20.116

摘要

基于双输入单电子晶体管与MOSFET的混合结构I-V特性和数字电路的逻辑设计思想,提出了一种由5个双栅极SET和6个MOSFET构成的一位比较器电路结构.该比较器有以下优点:利用双栅极SET和MOSFET构成逻辑块使电路结构大为简化;减少了管子的数日;电压兼容性好,驱动性能高;输入和输出高低电平都接近于1V和0V;静态总功耗低,为nW级.仿真结果验证了它的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯朝文	空军工程大学理学院	36	108	6.0	8.0
2	CAI Li	空军工程大学理学院	1	0	0.0	0.0