基于 PDSOI工艺的抗 SET锁相环设计

• 作者: 刘梦新 叶甜春 吕荫学 罗家俊
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 锁相环 单粒子效应 抗辐射加固 压控振荡器 多频带
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 页码范围: 144-148
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文

摘要

基于0．35μm PDSOI工艺设计了一款输出频率范围为700M Hz-1．0GHz的锁相环电路，利用Sentaurus TCAD工具对其进行单粒子瞬变（SET ）混合模拟仿真，确定其SET敏感部件并建立SET分析模型，分析了SET与锁相环系统参数之间的关系．通过增加由一个感应电阻、一对互补运算放大器和互补SET电流补偿晶体管组成的限流电路并利用多频带结构降低了VCO的增益，显著提升了锁相环的抗SET性能．仿真结果表明，CP中发生SET后VCO控制电压Vc的波动峰值、锁相环的恢复时间以及输出时钟的错误脉冲数明显降低，分别为未加固锁相环的43．9％、49．7％和29．1％，而辐射加固前后 VCO的基本结构变化不大，其SET轰击前后无明显变化．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶甜春	中国科学院微电子研究所	200	911	14.0	18.0
2	吕荫学	中国科学院微电子研究所	5	29	3.0	5.0
3	刘梦新	中国科学院微电子研究所	16	70	5.0	7.0
4	罗家俊	中国科学院微电子研究所	28	56	5.0	5.0