原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
基于0.35μm PDSOI工艺设计了一款输出频率范围为700M Hz-1.0GHz的锁相环电路,利用Sentaurus TCAD工具对其进行单粒子瞬变(SET )混合模拟仿真,确定其SET敏感部件并建立SET分析模型,分析了SET与锁相环系统参数之间的关系.通过增加由一个感应电阻、一对互补运算放大器和互补SET电流补偿晶体管组成的限流电路并利用多频带结构降低了VCO的增益,显著提升了锁相环的抗SET性能.仿真结果表明,CP中发生SET后VCO控制电压Vc的波动峰值、锁相环的恢复时间以及输出时钟的错误脉冲数明显降低,分别为未加固锁相环的43.9%、49.7%和29.1%,而辐射加固前后 VCO的基本结构变化不大,其SET轰击前后无明显变化.
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文献信息
篇名 基于 PDSOI工艺的抗 SET锁相环设计
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 锁相环 单粒子效应 抗辐射加固 压控振荡器 多频带
年,卷(期) 2013,(9) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 144-148
页数 5页 分类号 TN4
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 叶甜春 中国科学院微电子研究所 200 911 14.0 18.0
2 吕荫学 中国科学院微电子研究所 5 29 3.0 5.0
3 刘梦新 中国科学院微电子研究所 16 70 5.0 7.0
4 罗家俊 中国科学院微电子研究所 28 56 5.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
锁相环
单粒子效应
抗辐射加固
压控振荡器
多频带
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
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