基于遗传算法的BSIM SOI模型参数提取

• 作者: 李瑞贞 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 遗传算法 SOI 参数提取
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1676-1680
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3451字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.08.039

摘要

提出了一种提取BSIM SOI模型参数的新方法,该方法基于遗传算法和局部优化法的结合,同时具有全局优化和局部优化的优点,提取的参数物理意义明确,并且容易得到全局最优解.该方法计算简单,不需要对模型进行深入了解和丰富的参数提取经验,易于推广使用.对用该方法得到的SOI模型进行了模拟,并将模拟结果与1.2μm CMOS/SOI测试结果进行对比,二者吻合很好,SOI器件特有的kink效应也得到了很好的拟合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	李瑞贞	中国科学院微电子研究所	8	22	3.0	4.0