BSIM3v3模型关键参数提取的研究

• 作者: 李斌 李盛峰 郑学仁
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: MOSFET BSIM3v3 参数提取 HSPICE 运放
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 页码范围: 116-118,122
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文

摘要

BSIM3v3是现在业界普遍使用的MOSFET模型,用它仿真电路能够得到准确的结果,但这个复杂的模型给电路设计者的手算过程带来了相当大的困难.为得到更为准确的关键参数,对用HSPICE从BSIM3v3模型提取关键参数的方法进行了改进,并以一个运放设计为例进行比较,该方法提取的关键参数的手算结果比其他方法更接近仿真结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	华南理工大学微电子研究所	128	542	12.0	17.0
2	郑学仁	华南理工大学微电子研究所	72	463	12.0	17.0
3	李盛峰	华南理工大学微电子研究所	3	9	2.0	3.0