一种新的SPICE BSIM3v3 HCI可靠性模型的建立及参数优化

• 作者: 林宏 狄光智 石艳玲 禹玥昀 赵同林
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SPICE模型 BSIM3v3模型 热载流子注入( HCI) 可靠性 参数
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 页码范围: 1049-1053
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.02
• 字数: 2560字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2014.06.008

摘要

研究中提出了用于描述HCI(热载流子注入)效应的MOSFET可靠性模型及其建模方法，在原BSIM3模型源代码中针对7个主要参数，增加了其时间调制因子，优化并拟合其与HCI加压时间( Stress time)的关系式，以宽长比为10μm/0.5μm 5 V的MOSFET为研究对象，在开放的SPICE和BSIM3源代码对模型库文件进行修改，实现了该可靠性模型。实验表明，该模型的测量曲线与参数提取后的I-V仿真曲线十分吻合，因而适用于预测标准工艺MOS器件在一定工作电压及时间下性能参数的变化，进而评估标准工艺器件的寿命。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石艳玲	华东师范大学信息科技与技术学院	47	205	8.0	12.0
2	狄光智	西南林业大学计算机与信息学院	39	92	5.0	6.0
3	林宏	西南林业大学计算机与信息学院	18	43	3.0	6.0
4	禹玥昀	西南林业大学计算机与信息学院	15	17	2.0	4.0
5	赵同林	西南林业大学计算机与信息学院	24	51	4.0	6.0