BSIM射频模型综述

• 作者: 徐大为 李艳艳 王青松
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 射频 紧凑型模型 BSIM6
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 32-36
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 3873字
• 语种: 中文

摘要

CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术要求模型研究人员持续改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型.美国Berkeley加州大学的BSIM团队对业界标准芯片仿真物理模型BSIM进行了不断的改进与开发.主要介绍BSIM系列模型在RF应用方面的改进.相对于BSIM3v3,BSIM4添加了更多真实器件效应,BSIM5和BSIM6是为了满足射频(RF)和高速CMOS电路模拟要求而发展的新一代物理基础的BSIM模型,具有对称、连续和参数少的特点.BSIM6可用于低压低功耗的RF和模拟设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐大为	中国电子科技集团公司第五十八研究所	5	13	2.0	3.0
2	李艳艳	中国电子科技集团公司第五十八研究所	4	11	2.0	3.0
3	王青松	中国电子科技集团公司第五十八研究所	1	0	0.0	0.0