一种新型石墨烯条带隧穿场效应管

• 作者: 孟雨 王晶 王高峰
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 隧穿场效应管 PNIN-TFET 石墨烯 泄漏电流 开态电流 亚阈值摆幅
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 25-29
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13954/j.cnki.hdu.2018.02.006

摘要

基于隧穿场效应管(T F E T)P-I-N结构,考虑在源区与沟道之间施加一段与源区掺杂性质相反的高掺杂区(PNIN-TFET),加大源区到沟道的转变,提高TFET的开态电流.通过NanoTCAD ViDES软件计算石墨烯PNIN-TFET的开态电流、亚阈值摆幅等物理参数,试验发现,采用PNIN结构并且利用有掺杂浓度梯度变化的漏区能提高T FET性能,经过优化,器件开态电流从4.15×10-7A提高到2.32×10-6 A,泄漏电流从4.1×10-11 A降低到2.3×10-17 A,亚阈值摆幅从49.23 m V/dec降低到26.15 m V/dec.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王高峰	杭州电子科技大学电子信息学院	11	30	3.0	5.0
2	孟雨	杭州电子科技大学电子信息学院	1	2	1.0	1.0
3	王晶	杭州电子科技大学电子信息学院	3	14	2.0	3.0