金属氧化物半导体场效应管热载流子退化的1/fγ噪声相关性研究

• 作者: 刘宇安 包军林 杜磊
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属氧化物半导体场效应管 热载流子 1/fγ噪声
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2468-2475
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 字数: 5704字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.04.077

摘要

研究了金属氧化物半导体(MOS)器件在高、中、低三种栅压应力下的热载流子退化效应及其1/fγ噪声特性.基于Si/SiO2界面缺陷氧化层陷阱和界面陷阱的形成理论,结合MOS器件1/f噪声产生机制,并用双声子发射模型模拟了栅氧化层缺陷波函数与器件沟道自由载流子波函数及其相互作用产生能级跃迁、交换载流子的具体过程.建立了热载流子效应、材料缺陷与电参量、噪声之间的统一物理模型.还提出了用噪声参数Sfγ表征高、中、低三种栅应力下金属氧化物半导体场效应管抗热载流子损伤能力的方法.根据热载流子对噪声影响的物理机制设计了实验并验证这个模型.实验结果与模型符合良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜磊	西安电子科技大学技术物理学院	99	486	13.0	18.0
2	包军林	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	43	306	10.0	16.0
3	刘宇安	井冈山学院数理学院	1	4	1.0	1.0