N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管抗热载流子效应的研究

• 作者: 任红霞 许冬岗 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 槽栅MOSFET 热载流子效应 界面态 特性退化
• 年，卷（期）: 2000,（7）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 1241-1248
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 字数: 5722字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.007

摘要

用二维器件仿真软件MEDICI模拟分析了N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管的热载流子特性及其对器件性能所造成的损伤,并与相应常规平面器件进行了比较,同时用器件内部物理量的分布对造成两种结构器件特性不同的原因进行了解释.结果表明槽栅器件对热载流子效应有明显的抑制作用,但槽栅器件对热载流子损伤的反应较平面器件敏感.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	任红霞	西安电子科技大学微电子研究所	21	53	4.0	5.0
3	许冬岗	西安电子科技大学微电子研究所	4	6	2.0	2.0