动态耐压下SOI RESURF器件的二维电场解析模型

• 作者: 李天倩 阳小明 雍明阳 韩旭
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 半导体器件 表面电场 数值仿真 二维模型 击穿特性
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 57-62
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 3015字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.06.012

摘要

在SOI(绝缘衬底上的硅)器件的设计过程中,为使其具有较高的耐压水平,可优化器件的RESURF(降低表面电场)效应.而在实际电路工作过程中,由于SOI RESURF器件承受动态耐压的缘故,衬底深耗尽效应的存在将会导致衬底耗尽区出现,器件的RESURF效应将会发生改变,从而使器件的实际耐压性能发生改变.基于此,提出动态耐压下SOI RESURF器件的二维电场解析模型,通过求解相应的二维泊松方程,获取新的表面电场分布表达式.并对动态耐压下器件的击穿特性进行分析,阐述动态耐压下促使器件RESURF效应改善的物理机制.与此同时,依据新的表面电场分布表达式,优化衬底掺杂浓度,以使SOI RESURF器件在各类功率集成电路中具有更好的实用性.最后由仿真分析验证了所提模型的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李天倩	西华大学电气与电子信息学院	22	22	2.0	3.0
2	阳小明	西华大学电气与电子信息学院	24	39	3.0	5.0
3	韩旭	西华大学电气与电子信息学院	2	0	0.0	0.0
4	雍明阳	西华大学电气与电子信息学院	2	0	0.0	0.0