RESURF LDMOS功率器件表面场分布和击穿电压的解析模型

• 作者: 何进 张兴
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RESURF原理 LDMOS功率器件 表面场分布 击穿电压 比导通电阻 优化设计
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1102-1106
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 1530字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.002

摘要

提出了RESURF LDMOS功率器件的表面电场分布和击穿电压的解析模型.根据二维泊松方程的求解,得到了与器件参数和偏压相关的表面电场和电势分布解析表达式.在此基础上,推出了为获得击穿电压和比导通电阻最好折中的优化条件.该解析结果与半导体器件数值分析工具MEDICI得到的数值分析结果和先前的实验数据基本一致,证明了解析模型的适用性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
2	何进	北京大学微电子学研究所	24	84	5.0	8.0