阶梯掺杂薄漂移区RESURF LDMOS耐压模型

• 作者: 张波 李琦 李肇基
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄漂移区 阶梯掺杂 击穿电压 模型
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2159-2163
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 3550字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.022

摘要

提出硅基阶梯掺杂薄漂移区RESURF LDMOS耐压解析模型.通过分区求解二维Poisson方程,获得阶梯掺杂薄漂移区的二维表面电场和击穿电压的解析表达式.借助此模型研究击穿电压与器件结构参数的关系,其解析与数值结果吻合较好.结果表明:在导通电阻相近情况下,阶梯掺杂漂移区LDMOS较均匀漂移区的击穿电压提高约20%,改善了击穿电压和导通电阻的折衷关系.