用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型

• 作者: 孙伟锋 孟坚 徐超 时龙兴 柯导明 陈军宁 高珊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 阱区 双扩散MOS晶体管 导通电阻 解析模型
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1983-1988
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2668字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.10.023

摘要

分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMOS的导通电阻,提出了带有场极板的高阻漂移区导通电阻的计算公式,改进了双扩散沟道导通电阻的计算公式.针对一个LDMOS的例子做了计算,并将其与相同参数情况下用MEDICI软件模拟的结果作了对比.结果表明两者相差仅5％,这说明所得公式可用于该类型LDMOS的分析和设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯导明	安徽大学电子科学与技术学院	83	423	10.0	17.0
2	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
3	孟坚	安徽大学电子科学与技术学院	39	122	6.0	9.0
4	高珊	安徽大学电子科学与技术学院	28	89	6.0	8.0
5	徐超	安徽大学电子科学与技术学院	48	418	11.0	19.0