改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURF LDMOS晶体管

• 作者: 何泽宏 何进 张兴 林晓云 黄如
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS器件 RESURF原理 线性变化掺杂漂移区 击穿电压 导通电阻
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 298-300
• 页数: 3页
• 分类号: TN331
• 字数: 2005字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2002.02.040

摘要

本文提出了改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURF LDMOS晶体管新结构.用二维器件软件MEDICI对具有线性变化掺杂漂移区的RESURF LDMOS晶体管的性能进行了数值分析并由实验对其结果进行了验证.结果表明:在相同的漂移区长度下,该新结构较之于优化的常规RESURF LDMOS晶体管,它的击穿电压可由178V提高到234V,增加了1.5倍,而比导通电阻却从7.7mΩ·cm2下降到5mΩ·cm2,减小了30%,显示了很好的击穿电压和导通电阻折中性能.实验结果也证实了数值分析的预言.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
3	何进	北京大学微电子学研究所	24	84	5.0	8.0
4	林晓云		1	12	1.0	1.0
5	何泽宏		1	12	1.0	1.0