漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的研制

• 作者: Johnny Sin Tommy Lai 张盛东 韩汝琦
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜SOI 高压 LDMOS 线性掺杂
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 164-167
• 页数: 4页
• 分类号: TN604
• 字数: 3456字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.02.006

摘要

给出了漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的设计原理和方法.在Si膜厚度为0.15μm、隐埋氧化层厚度为2μm的SOI硅片上进行了LDMOS晶体管的制作.首次对薄膜SOI功率器件的击穿电压与线性掺杂漂移区的杂质浓度梯度的关系进行了实验研究.通过对漂移区掺杂剂量的优化，所制成的漂移区长度为50μm的LDMOS晶体管呈现了高达612V的击穿电压.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩汝琦	北京大学微电子学研究所	38	261	10.0	14.0
2	张盛东	北京大学微电子学研究所	13	47	4.0	6.0
3	Tommy Lai	香港科技大学电机电子工程系	1	21	1.0	1.0
4	Johnny Sin	香港科技大学电机电子工程系	1	21	1.0	1.0