TF SOI NLIGBT漂移区表面堆积状态小注入间接寿命模型及模拟

• 作者: 刘国华 张海鹏 李浩 牛小燕
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: TF SOI nLIGBT 漂移区表面 堆积状态 间接寿命 模型及模拟
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 26-29
• 分类号: TN386.2
• 字数: 2289字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2011.02.008

摘要

为探讨表面复合对TF SOI nLIGBT开关特性的影响,在Si-SiO2界面态连续分布多项式插值近似的平带条件下TF SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型及模拟研究基础上,考虑表面堆积状态下能带向下弯曲对界面态分布的影响而建立了堆积状态下TF SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型,然后采用基于MATLAB平台的循环嵌套矩阵算法进行模拟.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海鹏	杭州电子科技大学电子信息学院	36	96	5.0	7.0
2	刘国华	杭州电子科技大学电子信息学院	33	65	4.0	7.0
3	牛小燕	杭州电子科技大学电子信息学院	12	5	2.0	2.0
4	李浩	杭州电子科技大学电子信息学院	2	6	1.0	2.0