一种新型偏置栅MOS管漂移区表面电压和电场的分析模型

• 作者: 吴建辉 孙伟锋 时龙兴 陆生礼
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 偏置栅MOS 漂移区 表面电压 PN结边界电场
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 页码范围: 292-295
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 1154字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2002.03.019

摘要

本文提出了偏置栅MOS管漂移区离子注入剂量对表面电压和PN结边界电场两者关系的一种新的分析模型,借助数学推导得到该模型的计算方程,通过仿真曲线图能清楚地看到它们之间的变化关系,同时说明提高偏置栅MOS管击穿电压的方法.