工作在亚阈区之纯MOS管电压基准的设计

• 作者: 傅兴华 王元发 魏全
• 来源期刊: 西安工程大学学报
• 关键词: 纯MOS管 电压基准 亚阈值区 源耦合对 温度系数
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 电子信息与机械工程
• 页码范围: 203-206
• 页数: 4页
• 分类号: TN433.01
• 语种: 中文

摘要

采用工作在亚阈值区的NMOS和源极耦合对的组合设计一种无三极管、无大电阻、无运放的,工作在亚阈区的纯MOS电压基准源.利用CSMC(华润上华)0.5μm BiCMOS工艺,采用Cadence spice软件仿真.测试结果显示,输出基准电压为1.520V,电路功耗仅200nA,在温度范围(-20℃～100℃)内的温度系数为31.30ppm/℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅兴华	贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室	57	181	8.0	9.0
2	魏全	贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室	3	7	2.0	2.0
3	王元发	贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室	3	7	2.0	2.0