一种低功耗亚阈值全MOS管基准电压源的设计

• 作者: 张国俊 张涛 曾敬源 王影 陈远龙
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 基准电压源 全MOSFET 亚阈值 低功耗 低温度系数 线性区
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 27-30
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2007字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.05.007

摘要

分析了工作在亚阈值区、线性区和饱和区的MOS晶体管不同电流特性，设计了一种低功耗全MOS基准电压源电路。使用工作在线性区的MOS晶体管代替普通常规电阻,使整个电路实现全MOS基准源的特性，同时有效减小电路芯片面积，并且输出基准电压为线性区MOS管提供偏压以进一步降低功耗。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计电路。仿真结果表明此电路在1.8 V电源电压下，–50~+150℃的温度系数为22.6×10–6/℃，基准电压源输出电压约为992 mV，25℃时静态电流为327.3 nA，电路总静态功耗为0.59μW，10 kHz时的电源抑制比为–25.36 dB。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国俊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	57	231	8.0	11.0
2	张涛	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	24	81	5.0	7.0
3	陈远龙	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	17	3.0	4.0
4	王影	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	9	25	4.0	4.0
5	曾敬源	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	5	1.0	1.0