具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS的器件特性研究

• 作者: 余晨辉 刘培生 戴珊珊 罗向东 翟宪振
• 来源期刊: 计算机工程与科学
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS 高斯表面 漂移区 开态击穿电压 表面电场
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 23-27
• 分类号: TP305
• 字数: 1892字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-130X.2012.04.005

摘要

本文提出一种具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS结构.P阱、沟道、源区、栅极等位于高斯中心的一侧,而漏端位于高斯中心的另一侧并靠近高斯中心,器件既具有倾斜表面漂移区的高耐压性,又具有VDMOS结构的高开态击穿特性和良好的安全工作区域.我们研究了高斯表面的弯曲程度对高斯型倾斜表面漂移区的影响.结果表明,P阱的长时间退火对具有高斯表面的漂移区的掺杂浓度分布有一定影响.具有高斯表面的倾斜漂移区的LDMOS结构在不同弯曲程度下器件耐压性和表面电场分布均匀性不同.高斯弯曲参数P在0.5左右时开态耐压性能最优,并且表面电场分布相对均匀；当弯曲参数P增大时,击穿特性基本饱和或略有下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗向东	南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室	38	119	7.0	9.0
2	翟宪振	南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室	3	3	1.0	1.0
3	戴珊珊	南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室	3	7	2.0	2.0
4	余晨辉	南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室	9	3	1.0	1.0
5	刘培生	南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室	35	147	7.0	9.0