射频功率LDMOS槽形漂移区结构优化设计

• 作者: 张波 李泽宏 李肇基 王一鸣 王小松 翟向坤
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 射频功率LDMOS 槽形结构 寄生反馈电容 截止频率
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1441-1446
• 页数: 6页
• 分类号: TN722.1
• 字数: 1991字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.08.021

摘要

对射频功率LDMOS槽形漂移区的结构进行了优化设计.基于射频功率LDMOS的频率特性,提出了矩形、倒三角形和正三角形槽结构,对槽的位置、深度、宽度进行分析,在满足相同的耐压和导通电阻条件下,得出最优结构为正三角形槽结构,该结构实现了最大程度地减小寄生反馈电容的目的,寄生反馈电容减小了24%,LDMOS的截止频率提高了15%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学微电子与固体电子学院	206	1313	17.0	26.0
2	李肇基	电子科技大学微电子与固体电子学院	85	958	14.0	28.0
3	李泽宏	电子科技大学微电子与固体电子学院	32	111	6.0	8.0
4	翟向坤	电子科技大学微电子与固体电子学院	5	9	2.0	3.0
5	王一鸣	电子科技大学微电子与固体电子学院	4	23	4.0	4.0
6	王小松	电子科技大学微电子与固体电子学院	3	18	3.0	3.0