新型薄膜SOI高压MOSFET的研制

• 作者: 李文宏 罗晋生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 高压器件
• 年，卷（期）: 2003,（12）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1261-1265
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 531字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.12.006

摘要

研制了两种薄膜SOI高压MOSFET,一种是一般结构,另一种是新的双漂移区结构.两者的栅宽均为760μm,有源区面积为8.58×10-2mm2,测试表明其击穿电压分别为17V和26V,导通电阻分别为80Ω和65Ω.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗晋生		28	194	7.0	13.0
2	李文宏	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	26	186	8.0	12.0