SOI MOSFET的失真行为

• 作者: 张兴 张国艳 王阳元 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 失真行为 幂级数 SOI MOSFET
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 809-812
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 617字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.08.006

摘要

采用幂级数方法对基于全耗尽(FD)SOI MOSFET和凹陷(RC)沟道SOI MOSFET的失真行为进行了研究,发现随着沟道长度的减小失真行为变坏,且RC SOI器件较FD器件具有更好的失真行为.同时,从实验数据可以看出,不理想的体接触会由于体分布电阻的增加而使失真行为变坏.该结果可以为低失真混合信号集成系统的设计提高指导方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国艳	北京大学微电子学研究所	48	187	6.0	12.0
2	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
3	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
4	王阳元	北京大学微电子学研究所	78	1128	15.0	32.0