适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析

• 作者: Mansun CHAN 廖怀林 张兴 张国艳 王阳元 黄如
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 失真分析 幂级数方法 失真模型 SOI MOSFET
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 232-235
• 页数: 4页
• 分类号: TN399.1
• 字数: 4798字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2002.02.021

摘要

本文较为详细地分析了SOI MOSFET的失真行为.利用幂级数方法对不同结构包括部分耗尽PD、全耗尽FD和体接触BC的SOI器件的谐波失真进行了对比性的实验研究.同时,在实验分析的基础上提出了描述失真行为的连续的SOI MOSFET失真模型.该模型通过引入平滑函数和主要的影响失真的物理机制,使得模拟计算结果能够与实验结果较好的吻合.本文所得到的结果可用于低失真的数模混合电路的设计,并对低失真电路的优化提供指导方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国艳	北京大学微电子学研究所	48	187	6.0	12.0
2	廖怀林	北京大学微电子学研究所	13	54	3.0	7.0
3	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
4	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
5	王阳元	北京大学微电子学研究所	78	1128	15.0	32.0
6	Mansun CHAN	香港科技大学电子工程系	3	7	2.0	2.0