SOI数模混合集成电路的串扰特性分析

• 作者: Mansun CHAN 张兴 张国艳 王阳元 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 串扰 SOI 数模混合集成电路
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 203-207
• 页数: 5页
• 分类号: TN431
• 字数: 2978字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.02.019

摘要

采用二维TMA Medici模拟软件对SOI结构的串扰特性进行了分析.模拟发现随着频率的增加,SOI的埋氧化物对串扰噪声几乎不起隔离作用,同时,连接SOI结构的背衬底可以在很大程度上减小串扰的影响.还对减少串扰的沟槽隔离工艺、保护环及差分结构的有效性进行了比较分析,对一些外部寄生参数对串扰的影响也进行了研究.并给出了SOI结构厚膜和薄膜结构体掺杂浓度对噪声耦合的影响,所得到的结果对设计低噪声耦合的SOI数模混合集成电路具有指导性的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国艳	北京大学微电子所	48	187	6.0	12.0
2	黄如	北京大学微电子所	87	413	9.0	17.0
3	张兴	北京大学微电子所	120	618	12.0	20.0
4	王阳元	北京大学微电子所	78	1128	15.0	32.0
5	Mansun CHAN	香港科技大学电子工程系	3	7	2.0	2.0