任意纵向变掺杂横向功率器件二维耐压模型

• 作者: 花婷婷 郭宇锋
• 来源期刊: 南京邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 降低表面电场 功率器件 表面电场 击穿电压 解析模型
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 11-15
• 分类号: TN386
• 字数: 3761字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5439.2010.05.003

摘要

基于二维泊松方程的解,建立了漂移区全耗尽和不全耗尽情况下任意纵向掺杂的横向功率器件二维电场分布模型,进而导出了纵向和横向击穿电压表达式,得到了一个新的RESURF判据.借助此模型,研究了漂移区纵向杂质分布分别为均匀、线性递减、线性递增和高斯四种典型分布的功率器件的耐压机理和工作特性.解析结果和半导体器件仿真器MEDICI的数值结果吻合较好,验证了模型的准确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭宇锋	南京邮电大学电子科学与工程学院	59	281	8.0	14.0
2	花婷婷	南京邮电大学电子科学与工程学院	5	8	2.0	2.0