考虑到纵向掺杂分布影响的SOI功率器件完全耐压模型

• 作者: 于映 花婷婷 郭宇锋
• 来源期刊: 南京邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅 功率器件 击穿电压 模型
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 通信与电子
• 页码范围: 85-89
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3719字
• 语种: 中文

摘要

首先将任意纵向掺杂的漂移区等效为均匀掺杂的漂移区,然后基于二维泊松方程获得了SOI功率器件在全耗尽和不全耗尽情况下表面电场和击穿电压的完整解析表达式.借助此模型对漂移区纵向均匀掺杂、高斯掺杂、线性掺杂和二阶掺杂SOI二极管的表面场势分布和击穿电压进行了研究,解析结果和仿真结果吻合较好,验证了模型的准确性.最后在满足最优表面电场和完全耗尽条件下,得到器件优化的广义RESURF判据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭宇锋	南京邮电大学电子科学与工程学院	59	281	8.0	14.0
2	于映	南京邮电大学电子科学与工程学院	18	40	3.0	4.0
3	花婷婷	南京邮电大学电子科学与工程学院	5	8	2.0	2.0