基于介质电场增强理论的SOI横向高压器件与耐压模型

• 作者: 李肇基 罗小蓉
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 ENDIF SOI 低εr介质 调制 击穿电压 解析模型
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 博士论文
• 页码范围: 71-72
• 页数: 2页
• 分类号: TN301
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.05.022

摘要

SOI(Silicon On Insulator)高压集成电路(High Voltage Integrated Circuit,HVIC)因其具有高速、低功耗、抗辐照以及易于隔离等优点而得以广泛应用.作为SOI HVIC的核心器件,SOI横向高压器件较低的纵向击穿电压,限制了其在高压功率集成电路中的应用.为此,国内外众多学者提出了一系列新结构以提高SOI横向高压器件的纵向耐压.但迄今为止,SOI横向高压器件均采用SiO2作为埋层,且实用SOI器件击穿电压不超过600 V;同时,就SOI横向器件的电场分布和耐压解析模型而言,现有的模型仅针对具有均匀厚度埋氧层和均匀厚度漂移区的SOI器件建立,而且没有一个统一的理论来指导SOI横向高压器件的纵向耐压设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李肇基		85	958	14.0	28.0
2	罗小蓉		18	62	5.0	7.0