可变低k介质层SOI LDMOS高压器件的耐压特性

• 作者: 张波 李肇基 罗小蓉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 可变低k介质层 纵向电场 调制 RESURF判据 击穿电压
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 881-885
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3480字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.05.022

摘要

提出了一种可变低k(相对介电常数)介质层(variable low k dielectric layer,VLkD)SOI高压器件新结构,该结构的埋层由可变k的不同介质组成.基于电位移连续性原理,利用低k提高埋层纵向电场和器件纵向耐压,并在此基础上提出SOI的介质场增强原理.基于不同k的埋层对表面电场的调制作用,使器件横向耐压提高,并给出VLkD SOI的RESURF判据.借助2D器件仿真研究了击穿特性与VLkD SOI器件结构参数之间的关系.结果表明,对kIL=2,kIH=3.9,漂移区厚2μm,埋层厚1μm的VLkD器件,埋层电场和器件耐压分别达248V/μm和295V,比相同厚度的常规SOI器件的埋层电场和耐压分别提高了93%和64%.