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可变低k介质层SOI LDMOS高压器件的耐压特性
可变低k介质层SOI LDMOS高压器件的耐压特性
作者:
张波
李肇基
罗小蓉
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
可变低k介质层
纵向电场
调制
RESURF判据
击穿电压
摘要:
提出了一种可变低k(相对介电常数)介质层(variable low k dielectric layer,VLkD)SOI高压器件新结构,该结构的埋层由可变k的不同介质组成.基于电位移连续性原理,利用低k提高埋层纵向电场和器件纵向耐压,并在此基础上提出SOI的介质场增强原理.基于不同k的埋层对表面电场的调制作用,使器件横向耐压提高,并给出VLkD SOI的RESURF判据.借助2D器件仿真研究了击穿特性与VLkD SOI器件结构参数之间的关系.结果表明,对kIL=2,kIH=3.9,漂移区厚2μm,埋层厚1μm的VLkD器件,埋层电场和器件耐压分别达248V/μm和295V,比相同厚度的常规SOI器件的埋层电场和耐压分别提高了93%和64%.
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篇名
可变低k介质层SOI LDMOS高压器件的耐压特性
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
可变低k介质层
纵向电场
调制
RESURF判据
击穿电压
年,卷(期)
2006,(5)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
881-885
页数
5页
分类号
TN386
字数
3480字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2006.05.022
五维指标
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主办单位:
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出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
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英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
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学科类型:
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