具有超高耐压(＞1200V)的薄埋氧层BPL SOI LDMOS

• 作者: 张海鹏 许生根
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 功率LDMOS P埋层SOI 工艺与器件仿真 超高耐压 热性能
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 固态电子器材及材料
• 页码范围: 119-124
• 分类号: TN386
• 字数: 227字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2012.02.002

摘要

为了在薄埋氧层SOI衬底上实现超高耐压LDMOS铺平道路,提出了一种具有P埋层(BPL)的薄埋氧层SOI LDMOS 结构,耐压1200V以上.该BPL SOI LDMOS在传统SOI LDMOS的埋氧层和N型漂移区之间引入了一个P型埋层.当器件正向截止时,N型漂移区与P埋层之间的反偏PN结将承担器件的绝大部分纵向压降.采用2维数值仿真工具Silvaco TCAD对BPL SOI LDMOS进行虚拟制造和器件仿真,结果表明该结构采用适当的参数既能实现1 280 V的耐压,将BOL减薄到几百纳米以下又可以改善其热特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海鹏	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	36	96	5.0	7.0
2	许生根	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	3	9	2.0	3.0