有n埋层结构的1200V横向变掺杂双RESURF LDMOS研制

• 作者: 乔明 张正璠 张波 方健 李肇基 雷宇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高压LDMOS RESURF原理 横向变掺杂 击穿电压
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 541-546
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3451字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.023

摘要

提出有n埋层的横向变掺杂双RESURF 新结构高压LDMOS器件.该结构器件与常规LDMOS相比,采用了相对较薄的外延层,使之与标准CMOS工艺的兼容性得到了改善.基于二维器件仿真软件MEDICI分析了n埋层的浓度、长度和p-降场层的杂质浓度分布对器件耐压的影响,并进行了器件和工艺的优化设计.在国内工艺生产线成功地研制出1200V高压LDMOS,并已用于1200V功率集成电路中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学微电子与固体电子学院	206	1313	17.0	26.0
2	李肇基	电子科技大学微电子与固体电子学院	85	958	14.0	28.0
3	方健	电子科技大学微电子与固体电子学院	35	304	9.0	16.0
4	乔明	电子科技大学微电子与固体电子学院	35	178	8.0	12.0
5	雷宇	电子科技大学微电子与固体电子学院	5	58	4.0	5.0
6	张正璠		17	94	6.0	9.0