具有n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS的输出特性

• 作者: 吴丽娟 张波 李泽宏 李肇基
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: n埋层pSOI 三明治 寄生电容 输出特性 射频功率LDMOS
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2153-2157
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.11.015

摘要

提出了具有n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS器件.漏至衬底寄生电容是影响射频功率LDMOS器件输出特性的重要因素之一,寄生电容越小,输出特性越好.分析表明n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS漏至衬底的结电容比常规射频功率LDMOS和n埋层pSOI射频功率LDMOS分别降低46.6%和11.5%.该结构器件IdB压缩点处的输出功率比常规LDMOS和n埋层pSOI LDMOS分别提高188%和10.6%,附加功率效率从n埋层pSOI LDMOS的37.3%增加到38.3%.同时该结构器件的耐压比常规LDMOS提高了约11%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	206	1313	17.0	26.0
2	李肇基	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	85	958	14.0	28.0
3	李泽宏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	32	111	6.0	8.0
4	吴丽娟	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	6	1	1.0	1.0