500 V LDMOS研制

• 作者: 崔金洪 石金成
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS 漂移区 高压N阱 深N阱 击穿电压
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 36-40
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 1487字
• 语种: 中文

摘要

为了降低器件的制造成本,又可以和低压器件实现自主隔离集成在一起,所以需要价格较低的普通CMOS衬底片来实现高电压的器件设计.设计研制了一种在普通CMOS的衬底片上做深N阱层光刻注入和推结深,然后生长外延层,在外延层上做器件,高压N阱作为LDMOS的漂移区做在P-外延层中,深N阱层做在P型衬底上.由于深N阱层注入推结深步骤后的热制成步骤,导致深N阱层会反扩到P-外延层,深N阱层是漏端重要组成部分,与高压N阱一样承担BVDS耐压重要功能.击穿电压的关键是高压N阱漂移区(耐压区)和深N阱层耐压区的结构.利用工艺仿真软件对高压N阱漂移区和深N阱层耐压区的不同注入剂量、长度、结深对LDMOS器件的击穿电压的影响进行了汇总,最终确认各个参量数值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔金洪		2	0	0.0	0.0
2	石金成		1	0	0.0	0.0