500 V体硅N-LDMOS器件的研究

• 作者: 孙伟锋 李栋良
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: N-LDMOS 内场限环 场极板 漂移区 击穿电压 体硅
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件
• 页码范围: 508-510,515
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2397字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.02.032

摘要

借助半导体工艺模拟软件Tsuprem4和Medici,对耐压500 V的体硅N-LDMOS器件进行详细模拟.在模拟过程中,综合考虑了内场限环和场极板技术来弱化表面栅场板边缘和漏端的峰值电场,分析了场限环的长度,注入剂量等参数对耐压的影响.优化后该器件表面电场分布良好,通过Ⅰ-Ⅴ曲线可知,关态和开态耐压均超过500 V,开启电压在1.65 V左右,可以很好应用于各种高压功率集成芯片,具有很好的发展前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋	东南大学集成电路学院	105	634	13.0	19.0
2	李栋良	东南大学集成电路学院	1	1	1.0	1.0