体硅高压LDMOS器件二维温度分布模型

• 作者: 刘侠 孙伟锋 杨东林 王钦
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 体硅LDMOS 自热 温度分布
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 779-782
• 页数: 4页
• 分类号: TP316
• 字数: 2962字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.03.013

摘要

体硅高压LDMOS器件,在不同工作方式下,自身的发热情况也不同.本文通过解热传导方程,研究了体硅N-LDMOS器件准二维温度分布模型.通过该模型,分析了体硅高压N-LDMOS器件工作在线性区与饱和区时温度的分布,器件各个部分自热引起的温度升高以及其在不同宽度的高压脉冲作用下,N-LDMOS器件的温度分布变化情况.