110 V体硅LDMOS器件研究

• 作者: 刘焱华 孙海燕 孙玲 徐炜炜 景为平 程梦璋 罗向东 陈海进 陶涛
• 来源期刊: 南通大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 高压 LDMOS 击穿电压 仿真
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN710|TN432
• 字数: 1989字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2340.2008.02.001

摘要

利用SILVACO TCAD工艺仿真和器件仿真软件研究了110 V体硅LDMOS器件的几个重要参数对器件耐压特性的影响.研究结果表明,漂移区剂量存在一个最优值,过大将导致漂移区难以耗尽而使得沟道与漂移区边界发生击穿,而过小则导致漂移区迅速耗尽而在漏端表面发生击穿;衬底浓度低对提高开态击穿电压有一定效果.但低浓度衬底难以在CMOS工艺中使用;场氧与P阱和漂移区的PN结界面距离在零或者略大于零时器件耐压性有最优值;栅极板长度存在最优值,栅极板过长或过短都将使得器件的击穿电压有所降低.