阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析

• 作者: 张波 李肇基 段宝兴
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI RESURF结构 阶梯埋氧型SOI 电场调制 比导通电阻
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1396-1400
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2992字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.07.021

摘要

提出了一种阶梯埋氧型SOI(SBOSOI)RESURF器件结构,并解释了该结构的场调制耐压机理,通过2DMEDICI仿真验证了调制机理的正确性.优化了阶梯埋氧阶梯数与耐压的关系,得出阶梯数为3时耐压达到饱和.模拟仿真了比导通电阻和击穿电压,结果表明该结构在埋层厚度为0.2～0.8μm时可使比导通电阻降低40%～50%,耐压提高30%～50%;漂移区厚度小于1μm时比导通电阻降低10%～50%,耐压提高10%～50%.