SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响

• 作者: 刘忠立 张恩霞 张正选 李国花 李宁 郑中山
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SIMOX 埋氧 注氮 固定正电荷密度
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5446-5451
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4002字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.077

摘要

在SIMOX SOI材料的埋氧中注氮是为了增强该类材料的抗辐射能力.通过C-V研究表明,对于埋氧层为150 nm的SIMOX SOI材料来说,当在其埋氧中注入4×1015cm-2剂量的氮后,与未注氮埋氧相比,注氮埋氧中的固定正电荷密度显著增加了;而对于埋氧层为375 nm的SIMOX SOI材料来说,当注氮剂量分别为2×1015cm-2和3×1015cm-2时,并未发现埋氧中固定正电荷密度的增加.所有SIMOX注氮后的退火条件是完全相同的.通过SIMS分析,将薄埋氧中固定正电荷密度的增加归结为注氮后的退火所引起的氮在埋氧与Si界面附近的积累.同时还发现,未注氮埋氧中的固定正电荷密度是非常小的.这意味着通常情况下在热生长SiO2膜中大量存在的氧化物电荷,其数量在SIMOX埋氧中则要相对少得多.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李宁	中国科学院半导体研究所	304	5119	38.0	59.0
2	刘忠立	中国科学院半导体研究所	77	412	12.0	14.0
3	郑中山	济南大学物理系	7	17	3.0	3.0
5	张正选	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	20	56	4.0	6.0
6	张恩霞	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	7	22	3.0	4.0
7	李国花	中国科学院半导体研究所	5	26	4.0	5.0