SIMOX硅片埋氧层垂直方向热导率的测量

• 作者: 何平 刘理天 李志坚 王曦 田立林 董业明 陈猛
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI SIMOX 热导率 边界热阻
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1063-1066
• 页数: 4页
• 分类号: TN47
• 字数: 1822字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.10.012

摘要

提出了一种简单、有效而且准确的测量SOI硅片埋氧层垂直方向热导率的方法,并采用这种方法测量了用SIMOX工艺制作的SOI硅片的埋氧层垂直方向的热导率.测量结果显示至少在55nm以上的尺度上对于SIMOX硅片的埋氧层垂直方向经典的热导率定义仍然成立,且为一明显小于普通二氧化硅的热导率(1.4W/mK)的常数1.06W/mK.测量中发现硅/二氧化硅边界存在边界热阻,并测量了该数值.结果表明,边界热阻在SOI器件尤其是薄二氧化硅背栅的双栅器件热阻的计算中不可忽略.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
2	王曦	中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室	60	322	10.0	15.0
3	李志坚	清华大学微电子学研究所	84	451	11.0	15.0
4	田立林	清华大学微电子学研究所	31	116	6.0	8.0
5	陈猛	中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室	19	341	8.0	18.0
6	何平	清华大学微电子学研究所	14	35	4.0	5.0
7	董业明	中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室	1	2	1.0	1.0