埋氧层对SOI/玻璃键合的影响及其键合工艺的改进

• 作者: 冯勇建 郑志霞
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅 阳极键合 埋氧层 键合电压 脉冲电源
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1011-1015
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 3878字
• 语种: 中文

摘要

运用阳极键合技术,对绝缘体上硅(SOI)/玻璃进行阳极键合实验,发现当埋氧层厚度超过500 nm时,键合很难成功.分析了SOI埋氧层厚度对耗尽层电压降及键合静电力的影响,得出由于埋氧层的分压作用,耗尽层的压降减小,键合静电力减弱,导致键合失败.通过设计高压直流和高压脉冲两种输出方式的电源系统,提高氧负离子的迁移速率从而提高键合速度.从平板式阳极引一根探针电极到SOI器件层表面,使键合电压直接加在耗尽层上,避免埋氧层厚度对键合的影响,提高键合静电力.实验表明,通过改进的键合设备能实现不同氧化层厚度的SOI片与玻璃间的键合,该设备还适用于其他异质材料间的阳极键合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯勇建	厦门大学物理与机电工程学院	103	953	15.0	26.0
2	郑志霞	莆田学院电子信息工程学系	34	267	8.0	15.0