SOI横向功率器件横向耐压技术的研究进展

• 作者: 吉新村 夏晓娟 张长春 李曼 杨可萌 郭宇锋
• 来源期刊: 南京邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅 横向功率器件 击穿电压 导通电阻
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 约稿
• 页码范围: 11-19
• 页数: 9页
• 分类号: TN386
• 字数: 2074字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14132/j.cnki.1673-5439.2015.05.002

摘要

SOI横向功率器件是SOI功率集成电路的核心元件.文中对近年来SOI横向功率器件的横向耐压技术进行了归类和综述,讨论了RESURF技术、场板技术、U形漂移区技术、横向超级结技术和漂移区电荷密度线性化技术等5种常见技术及其衍生技术的工作机理、性能指标和制造方法,从耐压能力、BFOM优值和工艺复杂度等3个方面对不同耐压技术的优点和缺点进行了比较.结果表明各种新技术的采用可以有效缓和击穿电压和导通电阻的矛盾关系,但同时也带来了工艺复杂度的增加.因此,如何在性能和成本之间取得折中仍然是SOI横向功率器件设计需要关注的焦点.