具有n+浮空层的体电场降低LDMOS结构耐压分析

• 作者: 张波 李肇基 段宝兴
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS 体电场 n+浮空层 击穿电压
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 730-734
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2718字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.04.029

摘要

针对薄外延横向功率集成技术的发展,提出一种降低体内电场REBULF(REduced BULk Field)的新耐压技术,并设计了一例具有n+浮空层的REBULF LDMOS新结构.新耐压机理是通过嵌入在高阻衬底中的n+浮空层的等电位调制作用,提高源端体内低电场而降低漏端体内高电场使纵向电场重新分配,同时使衬底耐压提高.借助二维数值分析,验证了满足REBULF的条件为n+层的位置与衬底浓度的乘积不大于1×1012cm-2;在保证低的比导通电阻条件下,新结构较传统LDMOS结构击穿电压可提高75%以上.