具有部分n+浮空埋层的高压SJ-LDMO S器件新结构

• 作者: 朱辉 李琦 黄远豪
• 来源期刊: 桂林电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 部分 n+浮空层 SJ-LDMOS 击穿电压
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 页码范围: 369-372
• 页数: 4页
• 分类号: TN323+.4
• 字数: 3153字
• 语种: 中文

摘要

为了抑制衬底辅助耗尽(SAD)效应并提高超结器件击穿电压,提出一种具有部分 n+浮空层 SJ-LDMOS 新结构。n+浮空等位埋层能够调制器件横向电场,使得 partial n+-floating SJ-LDMOS比传统 SJ-LDMOS 具有更加均匀的电场分布。通过三维仿真软件对新器件结构分析,与传统 SJ-LDMOS进行比较。仿真结果表明,具有部分 n+浮空层 SJ-LDMOS结构的器件能将器件的击穿电压从138 V提高到302 V,且比导通电阻也从33.6 mΩ·cm2降低到11.6 mΩ·cm2,获得一个较为理想的低导通电阻高压功率器件。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李琦	桂林电子科技大学广西信息科学实验中心	30	53	4.0	5.0
2	朱辉	桂林电子科技大学广西信息科学实验中心	3	3	1.0	1.0
3	黄远豪	桂林电子科技大学广西信息科学实验中心	2	6	2.0	2.0