高阻衬底上具有n+浮空层的横向Super Junction MOSFETs

• 作者: 张波 李肇基 段宝兴
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: superjunction LDMOST 衬底辅助耗尽 n+-浮空层 击穿电压
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 166-170
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 963字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.02.005

摘要

提出了一种具有n+浮空层的横向super junction结构,此结构通过磷或砷离子注入在高阻衬底上形成n+浮空层来消除传统横向super junction结构中的衬底辅助耗尽效应.这种效应来源于p型的衬底辅助耗尽了super junction区的n型层,使p与n之间的电荷不能平衡.n+层的REBULF效应通过使漏端电场减小,体电场重新分布而使新结构中的衬底承担了更多的电压.结果表明这种结构具有高的击穿电压、低的导通电阻和漂移区中电荷平衡的特点.