SOI衬底和n+衬底上SiGe HBT的研制

• 作者: 姚飞 成步文 王启明 薛春来
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: Si基半导体器件 SiGe HBT SOI衬底 电极 特性曲线 直流增益β
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 1529-1531
• 页数: 3页
• 分类号: TN325
• 字数: 2023字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.05.001

摘要

分别在高掺杂的Si衬底和SOI衬底上用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)系统生长了SiGe/Si外延材料,并采用2 μm的工艺制备出SiGe/Si HBT(Heterostructure Bipolar Transistor).使用晶体管图示仪测量晶体管的特性.性能测试表明,在SOI衬底上获得了直流增益β大于300的SiGe HBT,但SOI衬底上的SiGe HBT表现出较严重的自热效应.此外,使用Al电极制备的HBT具有大于0.3 V的开启电压,而使用TiAu电极的HBT开启电压远小于该值.对不同衬底上研制的不同电极的SiGe HBT的直流特性进行了比较,并对产生不同特性的原因进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	118	735	14.0	20.0
2	成步文	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	41	185	8.0	10.0
3	姚飞	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	16	70	6.0	7.0
4	薛春来	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	24	77	6.0	7.0