VDMOS横向变掺杂终端的优化与设计

• 作者: 冯全源 赵磊
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS) 场限环 横向变掺杂 击穿电压 终端 功率器件
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 53-56
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1347字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.09.011

摘要

击穿电压是垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)最重要的参数之一,器件的耐压能力主要由终端决定,终端区耗尽层边界的曲率半径制约了击穿电压的提升.横向变掺杂(Variable Lateral Doping)技术是调整深阱杂质的注入开窗和掩膜间距,在终端形成一个渐变的P型轻掺杂区,使反向偏压下终端区耗尽层边界的曲率半径变大.通过计算机仿真软件Sentaurus TCAD设计了一种650 V横向变掺杂结构终端.仿真结果表明,横向变掺杂结构终端可以有效缩小芯片面积和提高击穿电压,横向变掺杂结构终端的反向击穿电压为700 V,终端长度为118μm.与有相同击穿电压的场限环结构终端相比,其终端长度减小了25.8％.此外,工艺设计复杂,但设计方法可以作为实际制造的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	赵磊	西南交通大学微电子研究所	10	38	4.0	6.0